低温硫化制备ZnS薄膜的性能研究

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ZnS是一种重要的宽带隙化合物半导体,高质量ZnS薄膜的制备与研究是影响其薄膜器件应用的关键因素之一。本论文先以直流磁控溅射方法沉积了Zn薄膜,然后在硫蒸气中200℃预热和硫化退火制备出了ZnS薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及紫外-可见分光光度计等对薄膜进行了表征,研究了硫化温度、硫化时间和Zn沉积时间对硫化薄膜结构、形貌、成分和光学性能的影响。溅射Zn薄膜在硫蒸气中200℃预热1h以及随后不同温度硫化退火1h,研究结果表明:第一步的200℃预热可在Zn薄膜表面形成ZnS,随后第二步退火的
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