地球上一切能源归根结底都来源于太阳能，它可再生、无污染、廉价，是理想的清洁能源。当今社会对环境的保护异常重视，对可再生清洁能源的需求更为迫切。太阳能电池能够把太阳能直接转化成电能，是利用太阳辐射能比较切实可行的方法，其为人类未来大规模地利用太阳能开辟广阔的前景。目前，太阳能电池以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，其具有成本低、光吸收系数高、转化率高等的优点引起了越来越多的研究者的关注。其中，铜铟镓硒薄膜太阳能电池具有性能稳定、抗辐射能力强、光电转换效率高的优点，它是目前已进行规模生产的太阳能电池的主要类型。但是，由于In，Ga是稀有贵金属元素且Ga有毒性，这制约了其大规模生产和应用。　　近年来，人们开始关注一种新型的光伏材料铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4，CZTS)，其结构与铜铟镓锡相似，并且具有廉价、环保、安全、高效的特点。CZTS是直接带隙半导体材料，禁带宽度为1.4eV-1.6eV，光吸收系数大于104cm-1，理论光电转换率为32.2％，是理想的太阳能电池吸收层材料。但是，目前研制的CZTS薄膜太阳能电池的最高光电转换率为12.6％，所以对于CZTS薄膜制备的方法和工艺还有待进一步研究。　　本文提出采用等离子体辅助共蒸发硫化法制备铜锌锡硫薄膜:首先，采用等离子体辅助共蒸发法制备Cu-Zn-Sn金属前驱体，然后在退火炉中硫化。等离子体是物质存在的一种基本形态，它是各种带电粒子以及各种中性粒子的集合体，它们处于不停的相互碰撞以及运动中，低温等离子的电子平均动能较高，对薄膜沉积有一定的影响。与传统的蒸发法相比较，等离子的辅助可以使得制各的Cu-Zn-Sn前驱体颗粒更大，提高CZTS薄膜的结晶质量，优化薄膜组分，并且能有效地抑制Zn和Sn元素的流失，提高薄膜的电学性能。　　本文的研究主要分为四个过程:(1)采用Langmuir单探针诊断法和光谱法测量等离子体参数及电感耦合等离子体的放电模式随功率的变化，用于分析等离子体辅助对CZTS薄膜生长情况影响的原因;(2)提出工作气压的变化可以引起电感耦合等离子体的放电模式转化(3)分析蒸镀条件及硫化温度对薄膜生长情况的影响，用于获得最佳的薄膜制备工艺;(4)通过扫描电子显微镜，能谱分析，X射线衍射，紫外-可见分光光度计和霍尔效应测量仪进行表征，详细分析等离子体辅助作用对制备CZTS薄膜的影响。　　本文研究表明:(1)放电功率和工作气压对电感耦合等离子体参数和放电模式有重要的影响:在一定条件下，气压不变时，增加放电功率，可以使等离子体的放电模式发生E-H模式转化;在功率不变的情况下，提高工作气压，可以使等离子体放电模式发生E-H-E的模式转化。(2)采用蒸发法制备薄膜时，较低的真空度有利于薄膜的生长;随着衬底温度的升高，CZTS薄膜的结晶度先增加后减小，颗粒尺寸也相应的先增大后减小;硫化温度为500℃时，可以生成较纯净的CZTS薄膜。(3)引入等离子体辅助蒸发沉积获得的Cu-Zn-Sn前驱体薄膜比传统方法制各的前驱体薄膜的颗粒尺寸更大;随着射频功率源功率的增加，铜锌锡前驱体中Zn的含量逐渐增加，薄膜颗粒尺寸先增大后趋于不变，颗粒排列的致密度不断提高。(4)高温硫化前驱体后制备的CZTS薄膜的结晶度随等离子体功率的增加先增加后减小，射频功率较高时，薄膜表面比较粗糙。(5)当射频功率源的放电功率为275W时，CZTS薄膜中元素化学计量比为最优，薄膜的生长情况最好。(6)等离子体辅助制备的CZTS薄膜相对于传统法制备的薄膜的电学性能有明显提高;通过紫外-可见光分度计测量光透射率，计算得CZTS薄膜的禁带宽度为1.47eV-1.51eV。CZTS薄膜适合作为薄膜太阳能电池材料。