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GaN/Si-NPA多界面纳米异质结的可控制备及其光伏效应
【摘 要】
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氮化镓(GaN)是宽带隙半导体材料,它具有优越的物理性质,如高击穿电压、高电子迁移速率等,因此GaN被广泛应用于LED照明、激光二极管、场效应晶体管等光电领域,被认为是现代电子和光电子器件中最重要的材料之一。硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)由单晶硅(sc-Si)通过水热腐蚀法制备,它具有以下的结构特征:(1)由微米尺寸、垂直于表面均匀排列的硅柱组成的规则结构阵列;(2)所有的硅柱均具有纳米多孔结构;
【机 构】
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郑州大学
【出 处】
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郑州大学
【发表日期】
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2019年07期
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