异质结双极晶体管(HBT)的结构特点是具有宽带隙的发射区,大大提高了发射结的载流子注入效率,降低了基区串联电阻,其优异的性能包括高速、大功率、低噪声、线性度好、单电源工作等,主要应用于微波毫米波电路、高速数字电路、模/数转换器、光通信及移动通信等领域.目前国外分子束外延(MBE)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)已广泛用于异质结双极型晶体管(HBT)外延层的生长中,而采用阀控的磷炉和砷炉MBE生长技术近年来发展很快,主要原因是可提高GaAs外延片的质量和产额以及无污染等特点,本文的主要工作是:1.生长AlGaAs/GaAs材料体系的HBT,通过制作大面积器件验证其直流特性,并对外延生长条件进行优化;2.使用化合物GaP源生长InGaP/GaAs材料体系的HBT进行研究,研究外延材料与器件关系,优化生长条件.实际HBT结构生长中的需要解决的两个重要问题是基区Be扩散和异质结界面以及生长外延层的晶体质量,由于不可避免要发生某种程度的Be扩散,引起发射极-基极结的漂移,为防止这种现象的发生,采用在基极两侧插入不掺杂层的方法.同时Be的扩散程度受温度的影响很大,衬底温度降低虽然可以有效的抑制Be扩散,但会发生基区以及发射区层的晶体质量下降.通过器件制作发现,适当降低衬底生长温度,增大基区生长时的Ⅴ/Ⅲ族束流比可以得到较好的器件特性.通过对各种条件的优化,采用VG公司V80H分子束外延设备我们生长了AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs突变结及缓变结的HBT,采用低温荧光和X射线衍射检测了晶体组分和质量,Lehighton薄层电阻测试仪测试了HBT的均匀性,使用PN4400型化学C-V测试仪对外延层载流子分布进行了测试,二次离子质谱测试表明Be未发生明显的扩散,并制作了大面积器件以测试其直流特性.表明我们的材料具有较好的晶体质量、直流特性、均匀性和掺杂分布.