随着信息技术的进步,磁电子器件正朝着微型化,高速化,集成化的方向发展。传统磁性材料已经不能满足日益发展的磁电子器件的使用要求,这就亟需我们开发出截止频率和磁导率高,且可用频带宽的磁性材料。而具有各向异性的金属磁性薄膜相比传统的磁性材料,具有更高的饱和磁化强度,且能够突破Snoek极限,同时获得较大的磁导率与共振频率,能够满足磁电子器件的发展需要。目前,金属磁性薄膜已广泛的应用在微波器件中,但是其工作频率还有待提高。利用铁磁层(FM)与反铁磁层(AFM)间的交换偏置效应能够有效调控薄膜的高频性能。本文采用直流磁控溅射方法制备了系列NiFe/FeMn交换偏置多层膜,采用XRD、VSM、VNA等对薄膜的晶体结构,静态与动态磁性进行了分析,结果表明薄膜结晶性良好,交换偏置效应能极大的提高薄膜的高频性能。我们发现在Ta/NiFe(15nm)/FeMn(t)/Ta交换偏置双层膜中,反铁磁层较薄时(tAF=3nm)时,虽然交换各向异性最小,但其高频性能最好,共振频率达到了2.84GHz。针对这种反常现象,我们使用了铁磁/反铁磁界面处的旋转各向异性来进行了解释。通过对比动态与静态各向异性场的差异得到了旋转各向异性场,发现旋转各向异性随着反铁磁厚度增加,呈现先增大后减小的趋势,并且在反铁磁层较薄时较大。通过制备多周期的Ta/[NiFe(15nm)/FeMn(t)]n/Ta交换偏置多层膜,我们进一步提高了NiFe/FeMn体系薄膜的高频性能。当tAF=4nm时,共振频率最大可以提升到4.02GHz。并且在多周期薄膜中,由于不同铁磁层受到了不同反铁磁层的钉扎,使铁磁层具有大小不同的各向异性场,导致多周期薄膜的磁谱出现了双峰现象,这极大的拓宽了薄膜的吸波范围。这对将来我们能够通过改变铁磁层厚度来拓宽薄膜的吸波范围具有很大的指导意义。另外本文还利用各向异性磁电阻效应(AMR)对交换偏置双层膜磁化翻转过程进行了研究,发现交换偏置效应能改变薄膜的磁化翻转机制。