自组织量子点的研究，是目前低维半导体应用的一个重要方向.而InGaAs/GaAs由于In组分可调，可以有额外的自由度来进行能带的工程，所以对InGaAs/GaAs自组织量子点的研究具有更加重要的意义.该论文较为深入地研究了自组织InGaAs/GaAs量子点的优化生长条件，运用多种测试手段进行了材料的测试，着重研究了量子点光致发光谱的温度依赖关系和光激发光谱，进行了器件材料的生长和测试以及量子点红外探测器的测试，并取得了一些有意义的结果.一、系统研究了低In组份In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs自组织量子点的优化生长条件.通过优化生长温度、生长厚度、Ⅴ/Ⅲ比和Si掺杂方式，我们可以在一定程度上控制量子点的形状以及密度，同时还在较高的生长温度下生长出高密度的InGaAs/GaAs量子点，与MBE生长器件结构的材料工艺更加相容.二、系统分析了量子点光致发光谱的温度依赖关系，利用一个新的局域化载流子分布函数得到了与实验吻合的光致发光谱峰位、半宽以及积分强度的温度变化曲线，证明量子点中的局域态分布是造成量子点反常光谱依赖关系的主要原因.三、进行了无帽层量子点的光致发光光谱研究，发现没有盖层的InGaAs/GaAs量子点由于没有上层压应力的作用，量子点的发光可以达到1.3μm-1.5μm范围，强度约有盖层量子点的1/10，在高温下也有发光.这对于量子点激光器的研究有指导意义.四、进行了有盖层量子点的光激发光谱的研究，实验上发现浸润层和量子点之间的吸收背景以及众多的中间能态，和理论计算的量子点态密度非常符合，为实验测试量子点的态密度奠定了基础.五、进行了无盖层量子点的光激发光谱研究，发现无盖层量子点的PLE谱具有更加复杂的结构，这可能和量子点表面势垒较高有关.另外浸润层能级与有无盖帽层无关.六、实验上探测到量子点结构的红外吸收，为器件的制作提供了参考依据.七、进行了台面结构的量子点红外探测器器件试研制工作，测试了器件的红外光谱响应.