太阳能的开发和利用备受全球关注,硅基太阳电池是目前广为人们使用的光伏转换器件,由于硅基薄膜太阳电池对原材料的消耗少,成本相对低廉,引发了人们对其展开积极的研究。作为硅基薄膜太阳电池的关键材料,如何在低温下高速沉积具有高吸收系数、低缺陷态密度的微晶硅薄膜是目前研究的热点。在本论文中,我们研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备微晶硅薄膜过程中,Ar流量和SiH4/H2稀释比对所制备的薄膜的微观结构,光学和电学性能的影响。研究发现：1)稀释气体中Ar的加入有效地提高了沉积速率和晶化率,这是因为Ar的加入增强了源气体分解,而且所形成的激发态Ar*在生长区域的退激发为前驱物形成结晶提供了能量。同时,稀释气体中掺入Ar造成了氢离子轰击的减少,使得制备的微晶硅薄膜光学带隙加宽,缺陷态增多；2)随着Ar流量的增加,薄膜吸收系数和暗电导均明显减小,薄膜的电导激活能随Ar流量的上升或SiH4/H2稀释比的下降而增大,这是由于缺陷态的增加使得费米能级降低造成；3)探讨了一种制备纳米阵列材料的新方法。以静电纺丝网络作为模板,化学腐蚀硅基薄膜以制备具有纳米阵列结构的硅基薄膜太阳电池材料。