微波和毫米波移相器是电信和雷达中相控阵天线的关键组件，基于MEMS开关网络的移相器具有结构简单、易于实现、低插损、高精度的特点，在未来有着广阔的应用空间和巨大的发展前景。本文设计了一个8~12GHz频段的RF MEMS五位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的二次下拉效应和电磁模型，并对MEMS单刀多掷串联开关进行了等效电路模型的建立和参数拟合；随后对金丝键合线进行了3D物理模型的建立和微波特性分析，针对键合线不同的拱高、跨距、根数、间距进行S参数仿真，得出了各尺寸参数对键合线寄生参数和微波性能的影响，提出了降低键合线寄生电感的方法，建立了键合线的等效电路模型，并对等效电路模型进行了参数提取；最后提出了一种基于单刀多掷开关的五位数字移相器拓扑结构，精确设计了延迟线和基准线的尺寸和形状，并通过移相器控制电路实现各相移状态之间的切换，再利用拟合得到的开关和键合线的电路模型对整个移相器进行S参数仿真。仿真得到的各相移状态插入损耗在8~12GHz频段优于-2dB，回波损耗优于-20dB，移相精度在1°以内。通过测试得到的各相移状态插入损耗在0~12GHz频段优于-3.5dB，在8~12GHz插入损耗平均值在-3.2dB左右，回波损耗在0~12GHz频段优于-15dB，在10GHz以后恶化比较严重，在12GHz处的回波损耗平均值接近-10dB，相移的绝对误差在大多数相移状态下在2°以内，满足设计指标，但在相移状态为303.75°、213.75°、123.75°、33.75°时，绝对误差均在5°以上，最后对测试得到的S参数和相移绝对误差恶化的原因进行了分析，总结了整个移相器中存在的不足，并提出了相应的改进方法。