LEDs器件发展对电极的制备提出了更高的要求，得到低欧姆接触电阻率、高光学透过率、可靠性稳定性良好的电极是电极制作的目标。本文包括以下几项工作： (1)介绍了白光照明的应用和前景。详细探讨了白光照明遇到的困难和挑战，系统叙述了欧姆接触的理论和测量方法，介绍了磁控溅射的原理与方法，通过实验确定了磁控溅射制备Ni/Au金属膜的最佳工艺参数。(2)通过环形传输线方法(CTLM)，电流-电压(I-V)曲线，光学透过率，表面形貌等手段，研究了Ni/ITO-p-GaN欧姆接触的原因和形成机制，提出了低温氧化Ni金属层的方法。还从理论上解释了低温氧化Ni金属层的可行性。(3)通过改变氧气压、基低温度，研究了它们对ITO成膜的影响。通过实验得到了最佳的工艺条件，在这个条件下，制备的ITO薄膜电导率为4.1×10-4 Ω.cm，透过率为93.9﹪。(4)系统研究了光刻、腐蚀、成膜、退火等p-GaN的欧姆接触工艺，得到了一套有价值的工艺参数。