生化传感器在医疗、农业、环境保护、工业生产以及军事等领域有着非常广泛的应用需求。基于半导体纳米线/管制作的场效应生化传感器以灵敏度高、实时检测、易于集成、免标记等优点而备受关注。纳米线场效应生化传感器的核心是纳米线场效应晶体管阵列的制作,目前制作半导体纳米线/管场效应晶体管的工艺主要有“自上而下”法和“自下而上”两种,其中,“自上而下”工艺利用传统硅电子工业的现成技术,直接在绝缘层上刻蚀硅纳米线,该方法的工艺步骤复杂、制作成本高。而“自下而上”法制作场效应晶体管的方法简单,可以以较低的成本制作大量的纳米线器件。但是这类技术还处于研究阶段,制作的纳米线/管器件还无法满足应用需求。因此,本课题以一维纳米线的介电泳自组装技术为主要手段,着重研究和优化了一维纳米线/管的介电泳组装工艺在组装纳米线/纳米管晶体管过程中存在的一些问题。论文分析了一维纳米线/管的合成制备、一维纳米线/管的组装技术、纳米线场效应生化传感器的工作原理和场效应生化传感器在组装和测试过程中存在的主要问题。在此基础上,首先设计出基于场效应生化传感器阵列芯片和微流道检测系统方案。并基于介电泳组装技术,设计了介电泳组装硅纳米线、碳纳米管和氧化锌纳米线的实验方案。碳纳米管在使用介电泳方法进行组装时,其中的金属性碳纳米管受到的介电泳力高于半导体性单壁碳纳米管所受的介电泳力,因此制得的碳纳米管器件中金属性碳纳米管数量远高于金属性碳纳米管,以至于器件几乎没有表现出晶体管特性。为此我们提出一种栅压辅助介电泳的方法,即在电泳时施加栅极电压的方法来增加半导体性单壁碳纳米管在电泳时受到的介电泳力。氧化锌纳米线晶体管不仅具有开关特性,同时氧化锌纳米线晶体管也可以作为光电探测器使用,但是其光电响应特性容易受到空气中氧气分子和水分子的影响,为解决这一问题,我们提出使用光刻胶涂覆氧化锌纳米线器件以隔绝氧化锌纳米线与空气的接触的方法来增强氧化锌纳米线的光电响应特性。经过测试分析,我们使用栅压辅助介电泳方法得到的碳纳米管晶体管的开关比得到了一定的提高,最初的器件几乎没有开关特性,而使用栅压辅助介电泳方法得到的晶体管的开关特性达到了59。对于使用光刻胶改善氧化锌纳米线光电探测器的性能,氧化锌纳米线光电探测器的响应曲线回复初始值的时间从涂胶前的数百秒减少到数秒以内。