硅辐射探测器在很多领域得到应用。随着技术的发展，对探测器的性能要求也越来越高，传统的平面结构探测器已经难以满足对性能越来越高的需求。三维探测器的出现使这个问题出现了转机。三维探测器因其特有的电极结构使得耗尽电压降低，同时缩短的电极间距减少了电荷收集时间，提高了电荷搜集速率，使得探测器的性能有了很大程度的改善。另一方面，三维探测器的制造也带来了挑战。　　本文对于三维探测器开展了探索性的研究，分析了探测器的制造工艺，重点针对硅通孔技术的深刻蚀工艺开展了仿真建模的研究，通过实验研究了腐蚀工艺，通过仿真研究了三维探测器的结构及工作原理。　　研究了深刻蚀技术的工艺仿真方法，开发了基于设备参数的深刻蚀工艺仿真方法。本文采用多项式以及指数函数建模的方法，基于已有的实验测试数据，建立基于设备参数的横向和纵向刻蚀速率模型。与响应曲面方法相对比，本文提出的这种方法具有物理意义更加明确，适用性强的优点。　　开发了基于设备参数的深刻蚀工艺仿真软件，基于平板功率、线圈功率、刻蚀气体流量对深刻蚀工艺进行仿真，仿真结果得到了实验的验证，可用于辅助深刻蚀工艺的开发。　　针对辐射探测器的应用，通过实验研究了TMAH腐蚀高阻(111)晶向硅的工艺。测量了在不同反应温度和TMAH腐蚀液浓度的条件下测量硅片的腐蚀速率，掌握温度和腐蚀液浓度对腐蚀速率影响。测量硅片腐蚀后剩余厚度来研究腐蚀均匀性特点。同时通过显微镜观察硅片表面形貌，确定反应条件对硅片粗糙度的影响。　　对三维探测器结构进行仿真，分析电极孔径、间距和衬底掺杂浓度等结构参数对探测器性能的影响，给出了横向耗尽电压和左侧、右侧电极下方耗尽电压随结构参数的变化。