Bi2WO6和Zn2GeO4三元金属氧化物半导体光催化剂的改性及其光催化性能研究

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随着全球工业化的发展,环境污染变得日益严重,因此寻求一种简单高效的方法来解决当前面临的环境污染等问题变得非常紧迫。近些年来,由于在环境治理方面展现出了巨大的潜力,半导体光催化剂受到了研究者们的广泛关注。然而,尽管传统的半导体光催化剂在实际应用方面取得了一些令人激动的成果,但是仍然存在一些不足之处,如光吸收效率低、光生电子空穴复合率高、光催化剂回收难等。因此,制备新型高效的改性光催化剂是十分必要的。本论文集中研究了利用溶剂热法制备改性Bi2WO6及Zn2GeO4复合光催化剂及其光催化性能。具体来说,本论文主要包括以下三个部分:1.以尿素为N源,通过水热法制备得到了不同比例N掺杂Bi2WO6光催化剂。测试结果表明,得到的N掺杂Bi2WO6产品是由纳米片组成的微球结构。通过在可见光下降解RhB溶液发现,0.5%N掺杂Bi2WO6的光催化活性最高,这是它较高的比表面积及较宽的光吸收范围共同作用的结果。2.贵金属掺杂或者沉积都可以提高光催化剂的催化活性。本章中,Ag同时掺杂和沉积的Zn2GeO4通过一步溶剂热法所制得。对制备的Ag修饰Zn2GeO4采用FE-SEM、XPS等手段进行的表征结果表明,单质Ag和Ag+是同时存在于Zn2GeO4中。通过降解红色RhB溶液和无色苯酚溶液表明,0.1Ag修饰Zn2GeO4光催化剂的活性高于其它比例Ag修饰的Zn2GeO4。这主要是由于适量的Ag修饰才能使得掺杂的Ag与沉积的Ag比例最合适,从而光催化性能最好。3.通过一步溶剂热法将Zn2GeO4纳米粒子直接生长在活化C纤维上,制备了Zn2GeO4/ACFs复合光催化材料,并对Zn2GeO4/ACFs复合材料进行了形貌和结构表征。此外,针对Zn2GeO4纳米棒的放射状生长,通过密度泛函理论调研了Zn2GeO4主要晶面的表面能及各个主要晶面与C纤维的相互作用能,并从理论上解释了Zn2GeO4可能的生长机理。通过光催化氧化对甲苯胺表明,Zn2GeO4/ACFs复合材料在氧化对甲基苯胺为对硝基苯胺时表现出了较高的光催化活性。
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