【摘 要】
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本文利用射频磁控溅射法结合后期退火处理，在Si(100)基片上制备了一系列的(La2/3Ba1/3)(Cu0.15Mn0.85O3)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描隧道显微镜(STM)、X射线光电子能谱(XP
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本文利用射频磁控溅射法结合后期退火处理，在Si(100)基片上制备了一系列的(La2/3Ba1/3)(Cu0.15Mn0.85O3)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描隧道显微镜(STM)、X射线光电子能谱(XPS)、标准四探针法等手段对薄膜进行了相结构、微结构特征、表面化学状态以及室温与液氮下的磁电阻随磁场变化特性等的测试，结果表明薄膜在750℃就已形成正交钙钛矿结构，900℃时晶相变得更加完整，晶体内部各部分变得更加均匀。随着退火温度的升高，晶粒迅速长大，颗粒间的氧空位逐渐消失，晶格氧含量增加，促使磁电阻增强明显。
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