近年来,随着45nm甚至是32nm技术节点的采用,芯片的结构日益复杂,IC器件性能的瓶颈已经不在于芯片制造,而在芯片制造随后的封装。在各种芯片组装技术中,引线键合(WB)作为最为传统和成熟的工艺,占据了IC封装市场的90%以上。其中金丝球焊法是引线键合的主流技术,占引线键合的95%,其技术已经比较成熟。但由于全球金价的飞涨,封装成本在IC芯片总成本中的比例持续升高,IC产业一直在寻求价格低廉、性能优异的新金属引线材料。铜线被普遍认为将逐渐代替传统的金线在IC封装工艺中得到广泛的应用。但同时,铜线键合也存在铜材料本身固有特性上的局限,对铜线键合过程中Cu/Al界面的金属间化合物(IMC)生长情况也缺乏对应的研究。本课题的工作主要聚焦在铜线键合工艺中Cu/Al界面的金属间化合物性能及行为,结合相关理论及SEM、TEM、EDS等分析手段,较为深入地探究了IMC的生长过程、微结构和Cu/Al界面的力学性能,并针对铜线表面镀钯金属层,研究了其在键合过程中对金属间化合物(IMC)的性能影响。