低电阻率钛酸钡基半导体缺陷行为及PTC效应的研究

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该论文对低电阻率钛酸钡基半导体的缺陷行为和PTC效应进行了研究.实验以Sb<,2>O<,3>单施主、Sb<,2>O<,3>、Sb<,2>O<,3>+Ta<,2>O<,5>双施主和Sb<,2>O<,3>+Ta<,2>O<,5>+BaF<,2>多施主作为半导化元素,通过配方调整、烧成工艺的优化研制出可应用于低压变压器的低电阻率BaTiO<,3>基PTCR陶瓷材料,其室温电阻率小于5Ωcm,升阻比大于3(1g(ρ<,max>/ρ<,min>)>3).论文还对不同掺杂方式下钛酸钡基半导体的缺陷行为和PTC效应作了机理分析.该论文还讨论了Mn(NO<,3>)<,2>和烧结制度对低电阻率PTCR陶瓷材料电性能的影响.实验发现:样品的室温电阻率随Mn(NO<,3>)<,2>含量的变化呈U型特性曲线,当Mn(NO<,3>)<,2>的含量为0.17wt﹪时,材料具有最低的室温电阻率;材料的升阻比随着Mn(NO<,3>)<,2>含量的增加而单调上升;Mn(NO<,3>)<,2>含量敏感地影响着材料的电性能.由SEM照片显示了Mn<2+>和施主杂质一起通过影响晶粒的大小进而影响着材料的电性能参数.低电阻率BaTiO<,3>基半导体对烧结制度十分敏感,选择合适的最高烧结温度、适度的保温时间和降温速度是获得低电阻率、大升阻比PTCR材料的关键.该论文采用HP4194复阻抗测试仪测试计算了室温下不同材料配方的晶粒和晶界电阻值.根据得到的数据,探讨了晶粒和晶界电阻对材料室温电阻率及升阻比的影响并分析了不同材料配方电性能差异的微观原因.
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