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Al2O3和本征非晶硅层在硅表面以其良好的钝化性能越来越受到人们的青睐。随着人们对太阳电池低成本、高效率的追求,硅片的厚度也越来越低,因此硅片的表面钝化就显的尤为重要。传统的钝化材料,如SiOx、SiNx、SiOX/SiNx叠层等都存在诸多问题,所以新型钝化材料Al2O3和本征非晶硅层不但能体现出良好钝化效果,并且在新型高效电池结构中也表现出良好的特性。本论文从Al203钝化效果的优化和应用以及本征非晶硅层在HIT电池上的应用出发,探究了改变不同的条件对Al203钝化效果的影响,得出了最优化的钝化条件,并且将优化后的Al2O3结合传统工艺,将其应用在PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)结构高效太阳电池的表面,于此同时通过不同衬底、不同结构的HIT电池验证本征非晶硅层的钝化效果。主要研究工作如下：(1)研究了不同生长温度、退火条件对Al203钝化效果的影响。通过改变Al2O3的生长温度以及退火条件发现,Al203沉积温度在200℃左右、退火温度为400℃左右、在FGA (Forming gas)氛围中退火时间15min分钟左右时,其钝化效果达到最优效果；并且通过对比发现Al203作为钝化效果要优于热氧化生长的SiOx钝化效果。(2)研究了Al203结合几种不同工艺应用于PERC结构高效电池。通过结果分析比较发现,激光烧蚀制得Al203背面全钝化局部接触电池性能要优于光刻工艺和激光烧结制得Al203背面全钝化局部接触电池性能。(3)研究了本征非晶硅层作为钝化层应用在不同衬底、不同结构的HIT电池中,发现本征非晶硅层可以在硅表面起到良好的钝化效果。