本文主要研究了氢化对n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。主要包括转移特性的退化和输出特性的退化两部分内容。对于转移特性的退化,我们是用统计的方法进行系统地研究,首次证明了等离子体氢化不仅大大地改善了应力前转移特性各参数的性能,而且极大的提高了器件转移特性各参数的热载子耐受力,延长了器件的使用寿命。对于输出特性的退化,应力后氢化器件的各参数并没有得到很大改善,其中饱和电流的退化明显要比非氢化器件的严重。研究表明,在金属诱导横向结晶的TFT中,Si-H键断裂机制对器件退化的影响被削弱了,而氢化对载流子碰撞离化的抑制起主要作用。所以应力后转移特性的各参数得到改善。在测量输出特性时,由于漏极施加的电压比较高,所以器件还受到场感应势垒下降(DIBL)效应的影响。因为非氢化器件在热载流子应力下产生的是局部陷阱态而氢化器件在沟道中产生的可能是比较分散的陷阱态,所以DIBL效应对非氢化器件的影响显著,导致非氢化器件的饱和电流的退化比氢化器件的好很多。