随着科学技术的不断进步，红外光学系统对红外光学元件的性能要求越来越高。光学薄膜作为红外光学元件的重要组成部分，特别是用作增透保护膜的类金刚石薄膜，其优异性能不仅能够满足红外光学元件的光学性能，而且还能够很好地保护红外光学元件。掌握相关工艺是制备出优异的红外光学薄膜的前提。本文的目的是掌握RF Plasma Enhanced CVD技术（RFPECVD）制备类金刚石薄膜制备的工艺技术，分析工艺参数对薄膜性能的影响，找出制备类金刚石薄膜的最佳工艺。本文研究了射频功率、沉积压强、气体流量比及极板间距等工艺参数对类金刚石薄膜的光学常数、沉积速率、结构成份和显微硬度的影响。主要内容如下：1、简单介绍了射频等离子体增强化学气相沉积的原理和设备的基本情况，阐述了研究的工艺参数的理由，根据选择的工艺参数设计了研究实验方案。2、编写了利用多波长数值反演法计算薄膜的光学常数的计算机程序，对不同工艺条件下制备的单层类金刚石薄膜的光学常数进行了计算，同时利用椭偏仪对类金刚石薄膜的光学常数进行了测量，并对两种方法获得的结果进行对比分析。3、研究了射频功率、沉积压强、气体流量比和极板间距等工艺参数对薄膜的光学常数、薄膜结构以及薄膜的硬度的影响，并不断优化工艺，获得最佳制备工艺，研究表明类金刚石薄膜具备很好的保护性能。4、根据研究的最佳工艺，在Si基底上设计了3~5μm波段单面和双面增透保护膜，并对其透射率进行了测试，测试结果表明：镀制类金刚石薄膜以后透射率得到显著提高。