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新型非晶硅肖特基表面栅静电感应薄膜晶体管的研制

来源 :北京大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zxllxp

【摘 要】

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该论文论述了一种新型非晶硅TFT--非晶硅肖特基表面栅静电感应薄膜晶体管(简称为a-Si:H SSGSIT)的制备方法.为了研制出性能优良的a-Si:H SSGSIT,该文着重研究了制备a-Si:H SS

【作 者】

：

胡盛明 

【机 构】

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北京大学

【出 处】

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北京大学

【发表日期】

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1996年期

【关键词】

：

a-Si:H TFT 表面栅 肖特基结 欧姆接触 

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该论文论述了一种新型非晶硅TFT--非晶硅肖特基表面栅静电感应薄膜晶体管(简称为a-Si:H SSGSIT)的制备方法.为了研制出性能优良的a-Si:H SSGSIT,该文着重研究了制备a-Si:H SSGSIT所需的a-Si:H膜的性能以及金属膜与a-Si:H膜形成的肖特基结的性能和金属膜与n<+>a-Si:H膜间的欧姆接触的性能.

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