本课题主要研究采用MEMS技术在硅片上制作矩形板状立体结构硅磁敏三极管，并对制作的硅磁敏三极管样品基本特性进行实验研究。 实验结果表明本课题采用MEMS技术设计、制作的矩形板状立体结构的硅磁敏三极管样品具有较理想的伏安特性曲线、具有较高的磁灵敏度(样品集电极电流磁灵敏度可达227％/T)、具有负温度系数且温度系数较小、在磁场一定时I_c～I_b线性关系较好等优点。本文根据实验结果，确认了该硅磁敏三极管设计、制作方案完全可行。尤其在硅磁敏三极管的制作工艺中采用了硅各向异性腐蚀技术，为实现在硅片上制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管提供了可靠的技术方案。制作工艺不但能与IC工艺相兼容，而且便于集成化，将有广泛的应用领域。 本文同时对实验结果中所出现的硅磁敏三极管样品负阻特性曲线进行简单分析、讨论，为进一步提高硅磁敏三极管磁灵敏度等性能提出了优化的设计方案。 本文共分6章。第1章 综述了磁敏感元器件发展概况。 第2章 论述了本世纪中最重要技术之一——MEMS技术及其基本概况 第3章 磁敏三极管的基本结构、工作原理和基本特性 第4章 采用MEMS技术制作硅磁敏三极管的基本结构、工作原理和制作工艺。 第5章 实验结果 第6章 讨论与结论。