铁电材料Bi<,4>Ti<,3>O<,12>中取代和掺杂效应的研究

来源 :南京大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:simon_01
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近二十年来,铁电材料由于铁电存储器的实现而被广泛研究.但现有用于铁电存储器的两种铁电材料PZT和SBT存在着或多或少的缺点.如PZT薄膜在普通的Pt电极上耐疲劳性较差,SBT的剩余极化较小,制备温度较高.性能更优越的铁电存储介质仍被人们所期待.由于Bi<,4>Ti<,3>O<,12>具有很大的自发极化值P<,s>=40-50μC/cm<2>,使它成为倍受关注的铁电存储器的候选材料.但是在这种材料特别在薄膜材料中由于剩余极化较小,且耐疲劳性差.因而不能实际运用于铁电存储器.该论文的工作对于寻求新的运用于铁电存储器的铁电材料作了初步的尝试.
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