【摘 要】
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卤化物钙钛矿量子点（Quantum Dots,QDs）以其成本低廉、单色性好、制备简单等优点,在QDs发光二极管（light-emitting diodes,QLED）、光电探测、太阳能电池以及微激光等领域展现出巨大的应用价值。其中,全无机钙钛矿量子点（CsPbX3,X=Cl,Br,I）具有光致发光半高宽窄、溶液合成方便、光致发光量子效率高等优异的光学性能,而受到了研发人员的关注。然而,表面缺陷一
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卤化物钙钛矿量子点（Quantum Dots,QDs）以其成本低廉、单色性好、制备简单等优点,在QDs发光二极管（light-emitting diodes,QLED）、光电探测、太阳能电池以及微激光等领域展现出巨大的应用价值。其中,全无机钙钛矿量子点（CsPbX3,X=Cl,Br,I）具有光致发光半高宽窄、溶液合成方便、光致发光量子效率高等优异的光学性能,而受到了研发人员的关注。然而,表面缺陷一直是限制钙钛矿量子点进一步产业化应用的主要问题。本文以提高量子点发光二极管的性能为目标,通过金属离子掺杂和配体表面修饰的方法,成功制备出了色纯度高且性能优秀的卤化物钙钛矿量子点发光二极管器件。本论文的主要研究内容如下:（1）研究了ZnBr2作为QDs表面配体对CsPbBr3QDs光学性能的影响并将其应用于电致发光QLED器件。结果表明,Zn Br2配体修饰可以显著地减少QDs表面的非辐射复合中心,有利于QDs薄膜中的电荷传输。采用了Zn Br2配体修饰策的CsPbBr3 QDs作为发光层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PTAA/QDs/TPBi/Li F/Al结构的QLED器件,该器件的最大亮度为16130 cd/m~2,相比于未修饰的QDs器件,提升了335%,外量子效率为7.74%,提升了63%。由此可见,该方法可以有效提高QLED的性能。因此,该方法能够使得CsPbBr3 QLED器件更加接近工业化时代的要求。（2）为了进一步提高CsPbBr3 QDs的发光效率,研究了钠离子掺杂CsPbBr3量子点的制备,并将其应用于电致发光QLED器件。在合成CsPbBr3 QDs初期,加入钠离子源,通过配体辅助再沉积技术,制备了Na+离子掺杂的CsPbBr3 QDs,并详细地研究了不同Na+离子浓度对CsPbBr3 QDs光学和电学性质的影响。结果表明,在Na/Cs比为1/3时,最大量子效率为94.74%（未掺杂的为77.34%）,辐射复合速率为30.4μs-1,荧光寿命为31.2 ns。将此Na+离子掺杂的CsPbBr3 QDs作为发光材料,制备了电致发光的QLED器件。该器件实现最大亮度为20190cd/m~2,最大电流效率为34.5 cd/A,外量子效率达到8.97%。这种离子掺杂的研究方法,为进一步制备高效、稳定、多色QLED提供了新思路。
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