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目的:对首发精神分裂症患者进行工作记忆和事件相关电位研究,探讨首发精神分裂症患者的工作记忆损害状况、工作记忆容量降低的脑电生理变化,分析工作记忆指标、脑电生理指标和临床症状之间的相关关系。为事件相关电位评估工作记忆、工作记忆容量、临床症状提供客观、可靠的依据。方法:选取2018年6月—2019年10月于济宁医学院第二附属医院就诊的首发精神分裂症患者32人作为研究组,33名正常人作为对照组进行研究。收集被试的一般人口学资料,使用精神分裂症认知功能成套测验共识版（MATRICS Consensus Cognitive Battery,MCCB）中的数字序列测验和空间广度测验进行工作记忆的评估,对研究组进行阳性和阴性症状量表（the Positive and Negative Syndrome Scale,PANSS）评定精神症状的严重程度。被试通过变化觉察任务来诱发对侧延迟活动（contralateral delay activity,CDA）,在实验过程中记录行为学和脑电数据。选择PO3、PO4、PO5、PO6、PO7、PO8作为研究电极进行CDA波幅的比较来评估工作记忆容量,根据K分的大小将两组分为高、低容量组进行组内、组间对比。使用SPSS17.0软件包对数据进行统计学处理。采用独立样本t检验比较一般人口学资料、工作记忆、工作记忆容量、对侧延迟活动的波幅、反应时间等。使用卡方检验比较正确率。使用Pearson线性相关分析法进行对侧延迟活动的波幅、工作记忆、一般人口学资料及临床症状之间的相关分析。结果:1.工作记忆结果:首发精神分裂症组在数字序列测验结果（t=-7.077,P=0.000）和空间广度测验（t=-6.519,P=0.000）中的得分均低于对照组,差异具有统计学意义。2.行为学结果:首发精神分裂症组在低负荷（x2=54.139,P=0.024）和高负荷（x2=57.063,P=0.000）时的正确率均低于对照组,差异具有统计学意义。两组在低负荷（t=0.629,P=0.530）和高负荷（t=-1.554,P=0.125）中的反应时间上的差异无统计学意义。3.事件相关电位结果:在低负荷时,首发精神分裂症组和对照组的波幅差异无统计学意义（t=0.382,P=0.704）;在高负荷时,两组的波幅差异有统计学意义（t=3.167,P=0.002）。首发精神分裂症组中高、低容量组的波幅在低负荷时的差异存在统计学意义（t=-2.307,P=0.028）,在高负荷时无统计学差异（t=-1.239,P=0.227）;对照组的高、低容量组在低负荷时无统计学差异（t=-0.521,P=0.607）,在高负荷时存在统计学差异（t=1.735,P=0.037）。将首发分裂症患者组与对照组,根据工作记忆容量进行匹配后,在低负荷（t=-2.276,P=0.032）、高负荷（t=-2.154,P=0.045）的条件下,两组的波幅差异均存在统计学意义。4.相关性分析:首发精神分裂症组的数字序列测验结果与受教育年限（r=0.438,P=0.012）、低负荷时的正确率（r=0.445,P=0.011）和工作记忆容量（r=0.403,P=0.022）、高负荷时的工作记忆容量（r=0.328,P=0.047）呈正相关关系,与病程（r=-0.529,P=0.02）、PANSS阴性症状量表（r=-0.392,P=0.027）呈负相关关系。空间广度测验与受教育年限（r=0.376,P=0.034）、低负荷的正确率（r=0.378,P=0.032）和工作记忆容量（r=0.368,P=0.038）、高负荷时工作记忆容量（r=0.340,P=0.048）呈正相关,与病程（r=-0.423,P=0.016）呈负相关。在低负荷时,CDA波幅与正确率（r=0.494,P=0.004）、工作记忆容量（r=0.488,P=0.005）、PANSS阳性量表（r=0.146,P=0.030）呈正相关,与PANSS阴性量表（r=-0.470,P=0.027）呈负相关;在高负荷时,CDA波幅与数字序列测验（r=0.584,P=0.000）、空间广度测验（r=0.382,P=0.031）、工作记忆容量（r=0.445,P=0.011）呈正相关,与PANSS阴性量表（r=-0.285,P=0.043）呈负相关。结论:1.首发精神分裂症患者的工作记忆受损,其中视觉工作记忆能力明显下降。2.首发精神分裂症患者的工作记忆容量降低,信息编码与保持存在损害。3.首发精神分裂症患者的受教育程度越高,病程越短,行为学结果的正确率越高,工作记忆越好。阴性症状越重,CDA波幅越小,工作记忆越差。