【摘 要】
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随着集成电路先进制造已达到7nm工艺水平,针对最先进技术带的技术研发急待解决。其中,功耗问题越来越成为制约集成电路发展的瓶颈,器件技术后段制程(back-end-of-line,BEOL)中低介电常数(低k)材料的选择制备与集成是制约超大规模集成电路发展的重要因素。在众多应用特性当中,其机械稳定性对于这些应用尤为重要。本文致力于利用化学溶液沉积(CSD)法,通过引入苯基基团,制备具有优异机械性能的
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随着集成电路先进制造已达到7nm工艺水平,针对最先进技术带的技术研发急待解决。其中,功耗问题越来越成为制约集成电路发展的瓶颈,器件技术后段制程(back-end-of-line,BEOL)中低介电常数(低k)材料的选择制备与集成是制约超大规模集成电路发展的重要因素。在众多应用特性当中,其机械稳定性对于这些应用尤为重要。本文致力于利用化学溶液沉积(CSD)法,通过引入苯基基团,制备具有优异机械性能的1,3,5-苯桥连超连接网络结构的周期性介孔硅酸盐低k介电薄膜,并对OSG low-k薄膜材料的机械性能
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