随着信息产业的高速发展，传统的存储技术已不能完全满足人们的需求。因此，对聚合物电存储材料与器件的研究应运而生。相对于传统的无机存储材料，基于聚合物的电存储材料与器件具有易加工、低成本、稳定性好、低功耗、可实现三维堆积以及高存储密度等优点，极有可能取代传统的无机半导体器件，显示出广阔的发展前景。配位聚合物不仅具有金属配合物的良好光电性能，同时兼具了有机化合物本身优良的材料性能因此引起广泛的关注，其中以过渡金属为金属中心的配合物不仅种类繁多而且光电性能优异逐渐成为人们的研究重点。　　 本文首先以联吡啶及其衍生物为主要配体设计合成出几种小分子钌（II）配合物，研究了它们的光物理和电化学性质，并且通过理论计算进一步理解了材料的结构与性能之间的关系。随后，我们分别通过Suzuki 方法和自由基聚合的方法合成了一系列的含钌的高分子配合物，对其进行光物理及电化学性能分析，并制备出基于高分子钌配合物的存储器件，实验表明该器件显示出良好的闪存特性。本文不仅拓宽了高分子钌配合物的应用领域而且为以后设计合成新的配合物材料提供了合成方法和设计思路。