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硅纳米线材料是近年来发展起来的一种新型的非常重要的纳米半导体材料,与其块体材料相比,显现出奇异的物理和化学特性,其应用也越来越广泛,成为了目前纳米技术领域科学研究的热点和前沿之一。在光催化降解环境污染物领域,硅纳米线复合结构因其具有高的电化学稳定性,高效的电子-空穴分离效率,以及易于选择的可见光吸收半导体能带等优势被广泛地研究,展现出重要的应用价值。本文采用金属催化化学腐蚀法制备出硅纳米线阵列,通过对硅纳米线进行表面修饰,制备了Bi_2SiO_5/Si和Cu_2O/Si纳米线复合阵列结构,采用扫描电