二维材料硫化钼（MoS₂）作为过渡金属硫化物（TMDCs）的典型代表,与石墨烯（graphene）相比,有着可变的禁带宽度,从块状的间接带隙到单层的直接带隙。正是由于其独特的结构,使其在晶体管、光电探测、逻辑器件等诸多方面有着潜在的应用。作为未来取代硅的材料热门之一,得到了人们越来越多的关注。在本论文中,利用机械剥离法制备了MoS₂薄膜,通过光学显微镜、拉曼、AFM（原子力显微镜）和PL（光致发光）表征手段,对其进行了表征测试,表明我们剥离的是少层MoS₂薄膜。在此基础上,我们制备了硫化钼场效应晶体管（MoS₂-FET）并对它进行了电学测试,测试结果实现了良好的电学性能,电流开关比(I_on/I_off)超过10⁶,载流子迁移率（）接近25 cm²V^-1s^-1。同时我们还对MoS₂-FET进行了低温电学测试,在不同温度下（6K³00K）,分析了温度对迁移率和阈值电压的影响,表明我们的晶体管主要受到杂质散射的影响,使得其迁移率随温度的升高而增加。随后,我们还制备了一些SWCNT-FET,该晶体管也具有10⁵的电流开关比。在此基础上制备了MoS₂/SWCNT的互补反相器,实现了输入—输出信号(V_in-V_out)之间的匹配,同时具有良好的基本性能包括:峰值电压增益（A_v）>15,静态功耗（p）低至几个纳瓦,同时具有高的噪声容限(0.45V_DD),这些指标非常适合用在未来逻辑电路中。最后还研究了沟道宽长比（W/L）对器件性能的影响,结果表明合适的宽长比可以实现电压增益和静态功耗之间的匹配。