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重结晶碳化硅(Recrystallized Silicon Carbide,R-SiC)陶瓷由于具有优异的物理和化学性能,在高温、耐磨耐腐蚀领域具有十分重要的应用。利用粉碎法生产硅片切割刃料和SiC磨料时,不可避免地产生大量粒径小(2.9-4.5μm)、纯度低(SiC含量93-95%)的SiC尾粉,除个别厂家少量用作耐火材料的添加剂外,大量只能回炉冶炼,浪费了宝贵的资源。本文以低纯SiC尾粉为原料,通过对SiC尾粉进行氧化处理和酸性提纯处理,去除了低纯SiC尾粉中的大多数杂质。探讨得到SiC尾粉的最佳表面改性体系为：以硅烷偶联剂YDH-560和包覆剂G3作为SiC粉体的包覆改性体系试剂,选择在80℃,pH=6.5条件下,反应2h。SiC尾粉Zeta电位的最大绝对值由改性前的27.57mV增大到45.42mV,极大的增强了其在水介质中的分散能力。与此同时,表面改性使浆料由胀流型向假塑型转变。研究发现,由于使用了硅烷偶联剂和醇醚类改性剂体系,不同于Saint-Gobain公司1.2μm改性SiC粉的静电稳定机制,本实验室改性的3.5μmSiC尾粉是以位阻稳定为主的联合稳定机制。将0.6μmSiC:3.5μmm尾粉=10：40颗粒级配,得到d50=1.17μm的3.5μmSiC尾粉级配粉。粗SiC颗粒表面光滑是其使浆料粘度降低的主要原因,而粗SiC颗粒的空间体积要小于细SiC颗粒,因此粗SiC颗粒比细SiC更容易紧密堆积。添加40wt%-60wt%含量的100μmSiC后,浆料的粘度随100μmSiC的增加而下降,添加55wt%100μmSiC坯体显微结构的均匀性和密度最高,密度达2.70g/cm3。使用TMAH:PEI=1:1的复配分散剂,可以使改性SiC粉在水介质中很好的分散,有效减少分散剂高分子链的稳泡反应和减缓粉体中残余硅的产气反应,坯体中的气孔较少。消泡剂NXZ具有很好消泡、抑泡效果,并在20-50S-1剪切速率下下可以降低SiC浆料的粘度。SiC粉中残余硅的放气反应和粉体包覆改性的长链高分子稳泡是浆料中气泡难以完全消除的主要原因,使用NXZ也无法完全消除Saint-Gobain公司1.2μm改性SiC粉浆料中的气泡。使用0.5wt%AES-60作为流变剂,可以增加浆料在低剪切速率下的粘度抑制粗、细SiC颗粒分层,降低浆料在高剪切速率下的粘度利于浆料消泡,得到显微结构均匀,密度高达2.72g/cm3的R-SiC坯体,达到德国FCT公司生产的R-SiC坯体水平。