硅是现代工业最重要的半导体材料之一。纯硅团簇的化学性质不稳定，很难作为合成材料的基元。研究表明，过渡金属掺杂硅团簇不但能使硅团簇的结构更趋于稳定，而且能够合成具有特殊性质的功能材料。因此，过渡金属掺杂硅团簇的研究引起了人们极大的关注。本文采用相关一致组合方法（ccCA）系统的研究了过渡金属铬掺杂硅团簇CrSin（n=1-6）在不同自旋多重度下中性分子、阴离子和阳离子的结构和能量，报道了它们的基态结构，计算了它们相对应的电子亲和能，并和文献中报道的实验值比较，表明ccCA-TM方法适合CrSin（n=1-6）团簇的计算，计算结果可靠。根据ccCA方法计算的结果结合已经报道的光电子能谱，对CrSi3-和CrSi4-负离子的光电子能谱进行了重新分配，获得CrSi3和CrSi4的电子亲和能的实验值分别为2.63和1.80eV。此外，还计算了Cr原子的断裂能，并讨论了它们的稳定性。最后，在文章中我们简单的讨论了团簇的生长规律。