非对称脉冲电源参数和TiO2溶胶对AZ91D镁合金微弧氧化影响初探

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镁合金自身存在的易腐蚀和磨损、硬度低等缺点,尤其极易腐蚀的特点限制了镁合金的应用。现在有很多方法可以用来提高镁合金的耐腐蚀和磨损的能力。其中,微弧氧化技术是从传统阳极氧化发展而来的一种较新的表面处理技术,是一种在镁合金表面处理具有应用前景的技术。微弧氧化在较高外加电压和较大电流条件下,通过阳极火花放电沉积,可以在镁合金表面生成高强度、高耐磨性和耐腐蚀性能的陶瓷氧化膜,极大的扩展镁合金的应用范围。但复杂的成膜过程,多孔结构对氧化膜性能的影响以及影响氧化成膜性能的各因素等还需要进一步改进和研究。非对称脉冲电源微弧氧化中,电源频比和负向脉冲参数对MAO膜的影响很大,首先,它可以改变阴离子的转移过程:二,可以影响MAO膜的厚度,结构和表面形貌等性能。本文应用非对称脉冲电源以双极恒流脉冲模式进行MAO膜的制备,分别对频比和负向脉冲参数对AZ91D镁合金MAO膜性能的影响进行了研究。并在电源参数研究的基础上,研究了TiO2对镁合金微弧氧化的影响。主要工作及结论如下:实验中分别选取频比1,5,25,研究了频比对镁合金微弧氧化的影响。研究发现,脉冲电源频比对微弧氧化膜的表面形貌、膜均匀性、膜厚度等有影响;增加频比,膜的孔隙增加,厚度和均匀度下将;频比对MAO膜的内部结构、组成没有显著影响。论文还进一步研究了,负向脉冲占空比和负向脉冲峰电流密度对微弧氧化的影响。固定负向脉冲占空比10%,负向脉冲峰电流密度的增加,生成的氧化膜厚度增加,孔隙率增大,膜均匀性和耐蚀性下降,且膜中Mg2SiO4含量下降,MgO含量增加;固定负向脉冲峰电流密度300 mA·cm-2,膜中MgO含量随负向占空比下降,Mg2SiO4含量则增加。当负向脉冲占空比大于10%时,制备的MAO膜与基体将产生局部分离现象,氧化过程中电压突降,且占空比越大,电压突降的越早,膜基体分离现象越严重。在电源参数研究的基础上,选取具有较大孔隙率的氧化膜,研究TiO2溶胶对镁合金微弧氧化的影响。实验考察了TiO2溶胶含量对微弧氧化膜的表面形貌、厚度、均匀性、耐蚀性以及物相组成等的影响,TiO2溶胶的加入可以改善微弧氧化膜的性能,TiO2溶胶体积浓度为4%,氧化膜的性能最好。
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