层状硫族化合物具有独特的原子构成和晶体结构,其中存在较强的自旋耦合相互作用,因此表现出许多新颖的物理特性。CrSiTe₃是具有间接带隙的铁磁性半导体。我们前期的理论计算结果表明Al XTe₃（X=Si,Ge）都是直接半导体,在300–600 K的中温区表现出很大的塞贝克系数（约500μV/K）。因此,本文主要研究TXTe₃（T=Cr,Al;X=Si,Ge）化合物的制备与结构、性能表征,主要成果如下:（1）通过固相反应法,以Si、Ge、Te单质为原料,制备了CrSiTe₃、Cr Ge Te₃、AlSiTe₃、AlGeTe₃为目标合成产物的四种样品。通过XRD衍射分析、EDS能谱分析结合扫描电镜等表征手段,对其晶体结构和磁性能等进行了研究。得到了CrSiTe₃和Cr Ge Te₃为主相的材料。层状化合物AlSiTe₃和AlGeTe₃很难通过固相反应获得单相的材料。（2）在制备AlSiTe₃的过程中,发现了二元层状化合物Si2Te₃材料。考虑到典型热电材料Bi2Te₃的优异性能源于其很强的自旋轨道耦合作用和其层状结构特征,我们对Si2Te₃物理特性进行了深入研究。层状二元化合物Si2Te₃表现出典型的半导体材料电输运特性。同时,它具有极低的热导率,在室温只有0.33 W m-1K-1,这是探索新型高性能热电材料最具有意义的特征之一。（3）通过微机械剥离的方法成功制备出了单层的Si2Te₃晶体用于光电性能和热电性能的深入研究。