【摘 要】
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最近几年,随着科学技术的迅速发展,新型功能材料得到广泛研究。其中,半金属材料因其具有独特的电子结构(自旋极化率高达100%),在自旋电子器件领域内得到广泛的应用。我们采用第一性原理计算方法研究了C元素的掺杂对Mn_3Ge电子结构和磁性的影响;还研究了原子反占位对Ti_2VSb电子结构和磁性的影响。Mn_3Ge的相关研究结果如下:1、通过计算发现当C原子在正八面体中心时,即C原子位于(0.5,0.5
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最近几年,随着科学技术的迅速发展,新型功能材料得到广泛研究。其中,半金属材料因其具有独特的电子结构（自旋极化率高达100%）,在自旋电子器件领域内得到广泛的应用。我们采用第一性原理计算方法研究了C元素的掺杂对Mn3Ge电子结构和磁性的影响;还研究了原子反占位对Ti2VSb电子结构和磁性的影响。Mn3Ge的相关研究结果如下:1、通过计算发现当C原子在正八面体中心时,即C原子位于（0.5,0.5,0.25）时掺杂结构能量最低。2、Mn3GeCx的总磁矩随C掺杂量增加先减小后增大,在Mn3GeC0.4中几乎实现了磁性完全补偿。3、由Mn3GeC0.4体结构形成的多层膜的磁矩并不为零。Ti2VSb的相关研究结果如下:1、研究了反占位对Ti2VSb电子结构的影响。当25%的Ti原子与V原子交换位置时,它几乎成为一种全补偿的亚铁磁性自旋零能隙半导体。2、研究了四方畸变对Ti2VSb电子结构的影响,发现Ti2VSb的电子结构对四方畸变很敏感,只有当c/a的比值在0.951.04之间时才能保持FCFS特性。当c/a比值不在此范围时,Ti2VSb先转变为完全补偿的亚铁磁性半金属,然后逐渐转变为普通的铁磁性金属。
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