【摘 要】
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该文采有COMOS/SIMOX工艺研制1Msample/s八位A/D转换器.该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个四位全并行A/D转换器实现八位转换.电路由一个高四位ADC、四位DAC、低四位ADC、时
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该文采有COMOS/SIMOX工艺研制1Msample/s八位A/D转换器.该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个四位全并行A/D转换器实现八位转换.电路由一个高四位ADC、四位DAC、低四位ADC、时序控制和三态输出等部分组成.电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,它具有结构简单和失调补偿功能.电路采用多晶电阻网络、ROM译码、三态输出.电路采用5μm CMOS/SIMOX工艺制作,5V单电源工作,0~5V模拟电压输入.电路由2100个器件组成,芯片面积3.53×3.07mm<2>.
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