InTe基化合物的制备及热电性能研究

来源 :武汉理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zqy61032526
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InTe化合物由于其具有较低的晶格热导率,被认为是一种极具潜力的中温热电材料,而实现InTe材料大规模应用的关键则在于其电输运性能的提高。针对于此,本研究尝试通过元素掺杂来优化InTe材料的电输运性能。系统研究了In含量调控、Na元素固溶、Sn元素掺杂、Cd元素掺杂以及Na-Cd共掺杂对InTe材料物相组成及电热输运性能的影响规律。具体结论如下:(1)采用熔融-退火-SPS烧结工艺制备的InTe化合物在电热输运性能方面表现出明显的各向异性。平行于烧结压力方向的电导率高于垂直于烧结压力方向的电导率,且两个方向的电导率均表现出由半导体向金属转变的一个过程,这是由于载流子散射机制随着温度升高由低温下的晶界散射占主导逐渐转变为高温下的声学支声子散射占主导所致。两个方向的Seebeck系数无明显差别,平行于烧结压力方向的热导率略低于垂直于烧结压力方向。最终,平行于烧结压力方向的ZT值更优,在750 K时取得最大值为0.70。(2)采用熔融-退火-SPS烧结工艺制备了In1+xTe和In1-xTe系列样品,系统研究了In含量调控对InTe材料物相组成及电热输运性能的影响规律。In过量的极限约为3%,超过该值时,材料中会出现In4Te3的第二相;In缺失的极限约为3%,超过该值时,材料中会出现In2Te3的第二相。正电子湮灭谱和电输运性能测试结果表明,In过量可以有效抑制In空位的产生,降低材料的载流子浓度,提升材料的Seebeck系数,在整个测试温区范围内大幅提高材料的功率因子。其中,In1.005Te样品在580 K时获得了最大的功率因子为0.60 mWm-1K-2,与本征InTe样品相比提高了约40%。相反,In缺失可以增大材料中的In空位浓度,提高材料的电导率,但由于Seebeck系数的降低,功率因子有所劣化。In过量样品保持了本征InTe样品的低热导率特点,最后由于功率因子的提升和低的热导率,In过量样品的ZT值在整个测试温区范围内都得到了大幅度的提高,其中,In1.003Te样品在750 K下获得最大ZT值为0.71,In1.005Te样品在300-750 K的ZTave为0.39,较本征InTe样品提升了23%。(3)采用熔融-退火-烧结工艺制备了NaxIn1-xTe、SnxIn1-xTe系列多晶样品,系统研究了Na元素固溶、Sn元素掺杂对InTe材料物相组成及电热输运性能的影响规律。NaxIn1-xTe(x=0~0.08)系列样品均为良好的单相,尽管Na固溶有效增大了InTe材料的带隙,但由于电导率的劣化过于明显,材料的热电性能并未得到提高;Sn元素在InTe材料中的掺杂极限约为1.5%,当Sn元素的掺杂量超过该值时,InTe基体中将出现SnTe的第二相。随着Sn元素掺杂量的增加,材料的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐升高,功率因子逐渐劣化;材料的热导率显著降低,在773 K时,InTe样品的总热导率为0.45 Wm-1K-1,而Sn0.01In0.99Te样品仅为0.33 Wm-1K-1。最终,由于热导率的显著优化,Sn0.01In0.99Te样品在700K时获得了最大的ZT值0.74,其同时获得了最大的平均ZT值0.42,相比于本征InTe样品提升了约31%。(4)采用熔融-退火-SPS烧结工艺制备了CdxIn1-xTe、Na0.02CdxIn0.98-xTe系列多晶样品,系统研究了Cd元素掺杂、Na-Cd共掺杂对InTe材料物相组成及电热输运性能的影响规律。Cd元素在InTe材料和Na0.02In0.98Te材料中的掺杂极限均为0.3%,超过该值时,基体中将出现Cd Te的第二相。在CdxIn1-xTe系列样品中,随着Cd掺杂量的增加,材料的载流子浓度和电导率呈下降趋势,Seebeck系数有所上升,最后材料的功率因子有所提高;由于Cd与In的原子质量和离子半径非常接近,Cd掺杂对InTe材料热导率的影响不大。由于功率因子的优化,Cd0.003In0.997Te样品在750 K时获得了最大的ZT值0.74。在Na0.02CdxIn0.98-xTe系列样品中,随着Cd掺杂量的增加,材料的载流子浓度和电导率同样呈下降趋势,Seebeck系数有所上升,功率因子并没有明显的提高,加上热导率的变化不明显,最终材料的热电性能并未得到改善。
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