拓扑量子材料有很多分类,包括拓扑绝缘体、拓扑超导体和拓扑半金属等。在这些材料中节线半金属比较特殊,通过打破时间或空间反演对称性,能够使节线半金属转变成狄拉克半金属和外尔半金属等其他半金属,可以将拓扑节线半金属视为其他半金属的母体材料,所以对拓扑节线半金属的研究就尤为重要。红外光谱是一种能够准确测量材料中电荷激发的实验技术,可以为我们提供丰富的电荷动力学和能带结构信息。红外光子将占据态的电子激发到未占据态,能清楚地得到自由电子的光学响应,同时也能探测到材料体态内电子的跃迁行为,得到相应的能带结构和能隙特征。在本论文中,运用化学气相输运法（CVT）制备了ZrSiS单晶。直流输运测量证明该材料是一种良好的金属,具有极低的电阻率,是已知的硫化物中电阻率最低的。通过红外光谱技术对拓扑节线半金属ZrSiS进行了系统的光学研究,在零频附近ZrSiS各温度点的反射率都近似等于1.0,表明其具有金属性,在60 cm^-1到25000 cm^-1的较宽频率范围内具有温度依赖。并且证明了ZrSiS具有与石墨烯相似的准二维平坦光电导率,同时还指出在高频区12000 cm^-1、14200 cm^-1、16900 cm^-1波数附近三个带间跃迁在能带结构中对应的能带跃迁位置。