共振隧穿器件由于具有高频高速的特点,适用于制作太赫兹波段的振荡源器件。利用共振隧穿器件制得的振荡源是目前唯一一种可独立在室温下工作、体积小、重量轻、便于携带的太赫兹波源。在本论文中是以InP基共振隧穿二极管(RTD)作为有源器件或电磁波激励器件,以缝隙天线作为负载器件或电磁波发射器件,二者结合得到共振隧穿振荡器(RTO)。本文是对THz波段的RTO器件集成与功率合成进行研究。主要从三个方面对其进行分析与研究,然后利用仿真软件对其进行仿真,最后对仿真结果进行分析。本文的主要研究工作为：1.RTD材料结构设计：根据RTD的高频高速的性能要求,建立InP基的AlAs/GaxIn1-xAs/AlAs结构的双势垒量子阱,并运用非平衡格林函数方法对其进行仿真分析,改变势阱中In组分和发射区的掺杂浓度等,从而得到相关结论,进而对RTD材料方面的设计提供方向。2.太赫兹波段的RTO天线的设计与仿真：设计了两种天线分别为平面等角螺旋扩展透镜集成天线和平面等角螺旋喇叭状透镜集成天线,并且利用天线仿真软件对设计仿真,对其仿真结果进行分析,对天线的改进有一定的指导意义。3.对RTO的功率合成技术研究：对两个和两个以上的基于缝隙天线的RTO耦合进行理论介绍,并且对其频率和功率进行仿真。分析了各个振荡器频率相同和不同的情况下的功率合成情况,并对其理论分析,得到功率合成的相关结论,对功率合成方向提供了一定的理论指导。本论文不仅对设计的太赫兹波段的RTO天线进行分析,还对其进行功率合成研究,这对THz波段的RTO器件的研制具有一定的指导意义。