介质界面HPM击穿及行波环的研究

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本文回顾了介质窗击穿研究的历史与现状,探讨了蒙特卡罗方法的基本思想和应用技巧,针对不同概率密度函数的性质寻求其最优的抽样方法。研究了次级电子倍增条件以及次级电子出射角度和出射速度概率密度分布的特点。提出了一个改进型的次级电子倍增研究模型,利用蒙特卡罗法生成的随机样本来求解这个模型,得到了工作在2.85GHz的介质片的次级电子倍增敏感度曲线。为了验证理论的可靠性,以及满足未来对介质表面击穿实验的需求,设计了一个行波谐振环,阐述了它的工作原理,给出了初步的实验设计方案。
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