单层二硫化钼因其约1.8 eV的直接带隙而具有卓越的物理化学性能,在纳光电子器件、能量存储、化学催化和纳米级过滤膜等领域具有广泛的应用前景。由于材料在制备、表征和加工处理过程中不可避免地极易引入各类缺陷或晶界,对其电特性、磁特性、热特性和力学特性存在着重大的影响。力学性能是材料的决定性影响参数之一,在单层二硫化钼的实际工程应用中具有举足轻重的作用。因此开展缺陷对单层二硫化钼力学特性的影响效应的研究具有实际的工程应用价值和科学研究意义。本文采用分子动力学模拟方法,主要研究空位点缺陷对单层二硫化钼力学特性影响规律和机理。针对模拟含缺陷单层二硫化钼时原子间势函数的有效性问题,分别从几何结构参数、缺陷晶格畸变、缺陷形成能、晶格扭曲、热膨胀系数、熔融温度和拉伸力学行为等方面探讨两类常用势函数的差异。结果表明,REBO势函数可以更好地描述含空穴缺陷单层二硫化钼的力学特性。采用REBO势函数,分别对4种含空位缺陷的单层二硫化钼进行单轴拉伸模拟,研究缺陷浓度、缺陷有序无序排布、手性和温度对其力学性能的影响。结果表明,缺陷浓度的增加使得材料的拉伸弹性模量逐渐减小,且该减小趋势与缺陷排布方式无关;但当缺陷有序分布时,其拉伸强度随缺陷浓度的增加变化不大;对于缺陷无序分布时,材料拉伸力学特性均表现出轻微的手性效应。此外,研究发现4种含空位缺陷材料,其拉伸弹性模量随着温度的升高呈现出异常的先衰减后缓慢增加的现象;但其拉伸强度则随温度升高而减弱。针对有序排布的5种VMoS3空穴缺陷模型,研究缺陷排布方向、排布间距对其拉伸力学特性和断裂行为的影响。结果表明,缺陷排布方向与拉伸方向平行时拉伸强度最大,而与拉伸方向垂直时其强度最小;5种模型因缺陷浓度偏小而具有大致相当的弹性模量;低浓度下材料拉伸断裂的裂纹扩展方向与缺陷排布方向关系不大,大致沿锯齿形方向扩展;高浓度下,沿锯齿形方向拉伸时,缺陷排布间距的减小和浓度的增加使得材料裂纹扩展方向大致沿缺陷排布方向扩展。本文最后研究完美单层二硫化钼的单轴受压屈曲行为,并与石墨烯屈曲行为进行对比分析。基于连续力学欧拉理论,获得完美单层二硫化钼和石墨烯的等效厚度和弯曲刚度,所获数值与现有文献报道一致。此外,还研究了应变速率和模型尺寸对屈曲行为的影响、卸载行为和晶格相变等现象。