【摘 要】
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该论文的工作是用MEDICI软件对SiC-MESFET的输出特性、转移特性、击穿电压、频率特性、功率特性进行模拟研究和分析,着重研究了4H-SiC MESFET的频率特性与器件几何及物理参数
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该论文的工作是用MEDICI软件对SiC-MESFET的输出特性、转移特性、击穿电压、频率特性、功率特性进行模拟研究和分析,着重研究了4H-SiC MESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系.发现常温300K时,4H-SiC MESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低.300K下,在沟道掺杂为4×10<17>cm<-3>、沟道厚度为0.25μm、栅长0.30μm、栅压偏置为-5V时,模拟得到的截止频率f<,T>达到18.62GHz,显示该器件在高频、高温、大功率领域的极大优越性和应用前景.并在此基础上对器件的结构和参数进行优化,从而设计出性能更好的器件.
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