CuInSe2类薄膜太阳能电池的光吸收系数可达105，是具有直接禁带的化合物半导体。Cu(In1-xAlx)Se2薄膜太阳能电池通过掺杂Al元素，不仅可以获得更宽的吸收层禁带宽度，而且由于替代In元素降低太阳能电池成本，因此其光电转换效率受到关注；透明导电层ZnO：Al(AZO)薄膜材料具有高电导率，可见光范围高透过率等良好的光电特性，已广泛应用在太阳能电池方面。与ITO薄膜材料相比，它具有成本低廉、无毒以及较好稳定性等优点，成为ITO薄膜潜在的替代材料，并且多种工艺可以用来制备透明导电层AZO薄膜。　　 本论文通过脉冲溅射工艺制备AZO薄膜和CIA金属预制层，再利用固态Se源对预制层硒化制备出CIAS吸收层薄膜。利用不同的制备工艺参数，通过SEM、XRD、EDS等检测手段分析了薄膜质量、光学电学等特性以及硒化工艺对薄膜品质的影响，分别得到Al含量为0.31、0.45的CIAS薄膜样品，其禁带宽度分别为1.44eV和1.65eV，且沿(112)晶相方向择优生长，单一相程度高，杂质相低的CIAS薄膜；　　 另外，利用XRD、四探针测试仪、可见光光谱仪等检测手段研究了不同实验工艺参数，如溅射工作气压、溅射功率等对AZO薄膜光电特性的影响。通过对制备工艺参数的优化，得到电阻率为2.7×10-4Ωcm，可见光平均透过率为90％，并且沿择优取向(002)方向生长的AZO薄膜，同时对应用于薄膜太阳能电池的透明导电薄膜工艺参数进行总结优化。