实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件,具有高频、高速、可控负阻等显著优点,可大大简化集成电路的复杂程度。本论文通过在GaAs衬底上,利用分子束外延(MBE)技术与半导体器件工艺技术,成功地研制出δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管(Real Space Transfer Transistor—RSTT),测试结果显示出该器件具有负阻器件典型的“Λ”型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。同时本论文详细地阐述了δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管的设计思想、器件的材料结构设计,重点讨论了δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管的工艺制作,以及器件的材料结构参数和工艺制作对器件的负阻性能的影响。同时,还详细阐述双沟道实空间转移晶体管的电路模拟寄程序和设计思路以及存在的问题等,并展望了今后该类器件的研究方向。本文的主要内容有:在器件材料结构方面,δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管是在考察了早期的实空间转移(RST)器件,并且参考了速度调制晶体管(VMT)的双沟道工作原理的基础之上设计并制备出来的。在具体的器件材料结构上,设计了帽层(Cap层)厚度d2=50nm,d2=30nm不同的两种结构。在材料外延制备上,先后制作了δ掺杂的时间分别为20Sec和33Sec的两批材料。在器件工艺制作方面,对RSTT的半导体器件工艺进行详细的阐述。其主要工艺包括器件隔离,电极金属的淀积,源漏电极合金等方面。在制作过程中对器件隔离与电极合金进行了严格的监测,达到了精确控制的目的。在电路模拟方面,对单管的δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管进行了合理的电路模型设计和改进,与实际测量结果相对照得出了较好的对比结果。