石墨烯是由碳六元环形成的二维蜂窝状晶格结构,只有一个碳原子的厚度,是第一种真正意义上的二维材料。石墨烯独特的结构使其具有一些优异的物理和化学性能,例如石墨烯强度非常大,柔韧性很强,导电性能极好,电子迁移率很大,杨氏模量也比较大,这就使得石墨烯在纳米电子器件、超级计算机、太阳能电池、透明电极等的应用方面具有极高的应用价值。但是所有这一切的前提是需要大规模制备出优质的石墨烯。目前,石墨烯制备方法已有很多,但是要想实现石墨烯的工业化生产,就必须针对不同的应用实现石墨烯的大规模、高质量、可调控生长。通过石墨烯常用的几种制备方法相比较,我们发现化学气相沉积法(CVD)是最有可能实现这一要求的方法。本论文采用化学气相沉积法,以乙炔为碳源,分别在镍衬底和铜衬底上制备石墨烯,研究两种不同衬底制备石墨烯的优缺点。用拉曼光谱对所得的石墨烯样品进行表征,实验结果表明镍衬底上生长的石墨烯样品质量比铜衬底上的样品质量好。结合镍、铜两种衬底的生长机制对该结果分析讨论,我们得出结论：镍衬底上生长石墨烯比较容易,但是质量不高；铜衬底上生长石墨烯质量比较好,但是生长条件比较严苛,难以达到。我们又以镍箔为衬底,以乙炔为碳源,同样采用CVD法生长石墨烯,研究了生长时间对石墨烯质量的影响。通过调节生长时间,得到了生长时间不同的两块石墨烯样品。采用拉曼光谱和扫描电子显微镜对石墨烯样品进行表征,经过对比发现,石墨烯样品的2D与G峰的积分强度比(I2D/IG)会随着石墨烯的层数的增加而变小；生长时间较短的有望得到大面积、高质量、少层数且分布均匀的石墨烯。