绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有高耐压、低正向导通压降、较快的开关速度和较低的关断损耗。这些特性使它成为一种较为理想的开关器件。伴随着智能电网、变频家电、轨道交通等方面的大力发展,国内IGBT的制造技术也日趋成熟。本文以一款6500V场截止型IGBT的设计过程为主线,针对工艺参数对于器件各项特性的影响做了详尽的仿真与分析,尤其是动态特性的分析。本文主要工作如下:第一,本文总结了历代IGBT器件的结构与技术,结合国内现有的工艺水平,提出了一种具有高可实现性的6500V IGBT设计方案及相应的工艺流程。第二,通过仿真软件设计了器件基本的正向阻断能力,达到目标耐压。包括器件材料的电阻率选择,器件厚度的确定以及相应的结终端设计。该工艺流程的选择和设计都很好符合与实验室合作的企业工艺水平。这些工作的完成为后续流片工作做好了充分的准备。第三,详尽分析了各工艺参数对于器件性能的影响。包括P-well注入剂量、JFET区注入剂量、栅长所占元胞比例等对器件静态特性的影响。并重点分析了N-buffer层注入剂量与推结时间、P-back注入剂量、少子寿命四个参数的变化对于器件导通压降、关断损耗的影响。并分析了其中部分参数对拖尾电流突变特性的影响。仿真过程中得到的优值可作为下一步流片的分片的工艺参数。