本文主要研究了太阳电池用直拉硅片中氧碳含量对太阳电池光电转换效率的影响。主要工作包括三个部分：首先研究了不同温度的热退火对于硅片氧碳含量和少子寿命的影响，然后将热处理过程应用于常规太阳电池的制备工艺，制出太阳电池。比较两种工艺过程太阳电池的性能。 作为该项研究的先期工作，首先以p型(100)太阳电池用直拉硅片为实验样品，摸索出热退火的最佳处理温度；然后用常规工艺制备了单晶硅太阳电池，测试效率；结果发现用经过热处理的硅片衬底制备的太阳电池比用没有经过热处理的硅片衬底制备的太阳电池其效率有明显改善。将太阳电池样品分别用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)做减反射膜，用FG(Forming Gas)烧结，测试电池性能，发现用PECVD处理后电池效率有所提高，用FG烧结后同样有所改善。 其次，研究了太阳电池用硅片中碳的热行为以及热处理过程中碳对硅片中氧沉淀和少子寿命的影响。其主要目的是通过不同温度的热处理，发现碳对氧沉淀影响的规律，以及热处理过程中硅片样品少子寿命的变化。 作为本文的主要内容，对影响太阳电池光衰减的主要因素—硼、氧进行了研究。文中首先介绍了掺硼单晶硅太阳电池的光照衰减问题及衰减机制，然后以p型掺硼单晶硅为实验样品，经过不同温度的热处理，对影响光衰减的主要因素硼、氧进行了研究。上述研究工作表明：为了避免光衰减，提高硅片少子寿命，应该选择低氧浓度的硅片，并降低硼的掺杂浓度，即：使用高阻材料制作太阳电池。 上述工作对研究太阳电池用直拉硅片中氧碳含量对太阳电池光电转换效率提供了良好的依据，为进一步改善太阳电池的性能奠定了基础。