作为直接利用太阳能生产清洁能源的重要方法,光催化析氢反应（HER）引起了研究人员的广泛关注。作为三元金属硫属化物的代表之一,ZnIn2S4（ZIS）以其低成本、高稳定性和优异的催化制氢性能而著称。然而,窄带隙和光生电子-空穴对的快速复合导致纯ZIS的光催化制氢活性较差。由于其特殊的层状结构,很容易地被改性和与其他半导体催化剂结合以构建具有更好性能的光催化体系。因此,人们致力于通过抑制载流子的复合,促进电荷空穴对的分离,提高ZIS的光催化制氢效率。本文以ZIS半导体为基底,对其进行离子掺杂、量子点沉积等,以提高光催化制氢活性为目的,作出以下研究内容:（1）通过一步溶剂热法制备了Sn2+和Sn4+双掺杂ZIS。通过对体系的物理化学表征发现,Sn2+由于较大的离子半径仅与ZIS的边缘S原子结合,调节了带隙结构、提供了特殊的电子传输通道。Sn4+取代了ZIS晶格中的Zn2+,提供了额外的能态。Sn2+/Sn4+双掺杂充当电子和空穴受体以分离光生载流子,抑制电子-空穴对的复合。因此,Sn2+/Sn4+-ZIS在可见光照射下表现出增强的光催化析氢活性,光解水制氢的速率是纯ZIS的35.4倍。此外,Sn2+和Sn4+的相互转化也增强了光催化剂的稳定性。（2）一步溶剂热法制备了I离子掺杂的ZIS,对其进行了一系列的表征及光催化制氢性能测试,相比与纯ZIS,I-ZIS在模拟太阳光照射下具有优异的氢气释放率(4.39mmol·g-1·h-1)和良好的循环性稳定性。同时,进一步讨论了载流子传输机制和可能的光催化制氢机理。I离子掺入后,减小了ZIS的带隙,增强了对可见光吸收的同时和促进了光生载流子分离,因而显著地提高了光催化制氢性能。（3）水热法成功制备了SnS2量子点（SnS2 QDs）沉积的ZIS复合材料,并通过各种表征技术测试了材料的形貌、结构和性能。结果表明,SnS2 QDs通过在ZIS表面生长而具有紧密的界面接触。此外,SnS2 QDs由于其自身的特性而具有准金属行为的高导电性。因此,优化后的SnS2 QDs/ZIS复合材料在可见光照射下的光催化产氢活性是纯ZIS的13.2倍。