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该文的主要内容包括以下几个方面的研究工作:激光致相变材料的结晶特性;溅射工艺参数对ZnS-SiO<,2>介质薄膜结构和光学性质的影响;溅射工艺参数对Al反射薄膜表面形貌和光学性质的影响;可擦重写相变光盘的初始化特性研究;Ge掺杂对AgInTeSb相变薄膜结晶特性和光学性质的影响;AgInTeSb相变薄膜的短波长记录性能等.首先,该文全面综述了可擦重写相变光盘的研究现状和发展趋势,对可擦重写相变光盘的记录性能表征及其改善措施和今后高密度相变光盘的发展重点作了详细的介绍.对Ge<,2>Sb<,2>Te<,5>和Ag<,11>In<,12>Te<,26>Sb<,51>相变薄膜的激光致相变特性进行了研究.溅射击工艺参数对ZnS-SiO<,2>薄膜和纳米Al薄膜的性能有着决定性的影响.该文通过对不同工艺条件下制备的ZnS-SiO<,2>薄膜和纳米Al薄膜的表面形貌、结构特征和光学性能的研究发现,溅射气压和溅射功率对ZnS-SiO<,2>薄膜和纳米Al薄膜的性能影响很大,它们综合决定了薄膜的光学性质.通过对相变光盘在不同初始化条件下的反射率和载噪比的测量研究,最后找出了相变光盘的最佳初始化条件.利用静态测试仪和动态测试仪研究了Ag<,11>In<,12>Te<,26>Sb<,51>相变光盘的短波长记录性能,记录波长为514nm,数值孔径NA为0.85情况下,记录点的直径最小约为220nm,载噪比最高可达45dB(数值孔径为0.6).