相变存储由于能耗高的缺点目前进一步的发展受到了阻碍。研究表明,超晶格结构可以有效降低相变存储材料的功耗。基于此,本文通过将SnSe和SnSe2做成周期性堆叠的超晶格结构,系统地研究了超晶格结构的组元厚度比、周期长度以及界面数对于SnSe/SnSe2超晶格结构的电输运以及热输运特性的影响规律。研究表明超晶格结构由于较低的热导率和晶态电阻率,有利于降低其在实际应用中的功耗。具体研究结论如下:（1）研究了组元厚度比对SnSe/SnSe2超晶格结构材料阻温特性、晶态电阻率、非晶活化能和热导率的影响规律。结果表明,随着组元厚度占比的增大,其相变温度和非晶活化能单调性减小,通过调整厚度占比,可以在保持较高非晶稳定性的同时加快相变速度。另外,超晶格结构具有更高的晶态电阻率,而较低的相变温度又可以减少相变所需要吸收的热量,从而可以有效降低实际应用中的操作电流。但是组元厚度比对热导率的影响不大。（2）对周期长度的研究表明,随着周期长度减小,声子在界面处的散射效应会增强,从而减少热量的损耗。周期长度的减小还会导致面内成核压力增大,从而增大其相变温度。当周期长度增大时,这种效应会被削弱,所以较小的周期长度有利降低相变存储材料的功耗。结果同时表明,周期长度对于样品的非晶活化能基本没有影响。（3）对界面数的研究表明,由于界面数的增多会使得样品由面内成核为主导向界面成核为主导转变,这促使了一级相变的消失,非晶态样品直接转变为二级相变所对应的较高的晶态电阻,由于两者之间的能量阈值更小,从而可以降低相变过程中的功耗。另外由于在样品薄膜较薄时,膜厚的尺度效应会明显体现,其综合表现来看,晶态电阻率和热导率随界面数的增大均呈现先增大后减小的变化趋势。