胶体量子点（QDs）由于荧光量子产率高、单色性佳、稳定性高、荧光光谱随尺寸可调等独特的光学性质,使其在生物标记、光伏器件、激光、发光二极管等领域引起了广泛关注。特别是基于量子点的发光二极管（QLED）出现以来,随着量子点合成技术的日益成熟和器件结构的不断改善,器件性能已经可以与现今优质的有机发光二极管（OLED）相媲美。但是,QLED在应用上还存在一定的限制,因为量子点在连续激发下会出现闪烁效应,影响其稳定性进而影响器件效率,因此如何获得在连续激发下非闪烁的量子点是提高器件效率的关键所在。以往解决此类问题的方法,主要集中在核壳结构量子点的研究上,而壳层生长过程成本较高,难以控制。因此,寻找一种量子产率高、稳定性高、具有单通道衰减且非闪烁特性的量子点合成方法,成为近年来的研究热点。其中,合成具有合金结构量子点的方法被认为是卓有成效的,这主要是因为合金结构可以在几乎不改变其粒子尺寸和分散性的基础上,调控能带结构和发光性质。而通过简单一锅法合成出量子产率高、稳定性好的非闪烁梯度合金结构量子点的研究较少。基于以上考虑,本论文主要内容包括以下两个方面:（1）通过调控Se和S比例,利用简单一锅法制备高质量的非闪烁单通道衰减的绿色梯度合金结构CdSe_1-x-x S_x量子点,当Se:S=1:8时,CdSe_1-xS_x的荧光发射峰位为511 nm,半峰宽为28 nm,荧光量子产率达90%。且该量子点具有单通道衰减的荧光动力学行为和无闪烁（“亮态”时间>98%）的特征。将该纳米晶作为发光层,采用全溶液法构筑QLED,最终电致发光半峰宽为34 nm,器件最大亮度、外量子效率和电流效率分别为92330 cd/m²、14.5%、50.3 cd A^-1。与之前报道相比,器件亮度及性能大大提升。器件性能的改善,是由于梯度合金结构CdSe_1-xS_x量子点具有高量子产率、单通道衰减和非闪烁等优良特性。（2）利用简单一锅法制备高质量的非闪烁单通道衰减的绿色梯度合金结构Zn_xCd_1-xSe_yS_1-y纳米晶。经过调节各个组分的含量和其它实验参数,结果显示,合金结构Zn_xCd_1-xSe_yS_1-y量子点的各项光学参数均有明显提高。对比所得的QLED性能,结果显示,器件性能得到了一定程度的提高。亮度达到236281 cd/m²,外量子效率和电流效率分别为17.4%和70.46 cd A^-1。如此高的效率和亮度,主要归功于我们所合成的高质量的Zn_xCd_1-xSe_yS_1-y合金结构量子点在连续激发下具有非闪烁行为,从而能够保证量子点在连续载流子注入下持续有效发光。