近年来基于硅材料制作先进微通道板成为国内外各研究热点,其高深宽比、高增益低噪声、高分辨、低功耗等特点被广泛应用在高灵敏离子探测器、高灵敏传感器、X射线增强及微光夜视成像等领域中。目前,国内还没有相关研究机构完成硅微通道板电子倍增器的研制。本文通过实验研究对硅微通道板制备工艺环节中的化学机械抛光和氧化绝缘技术进行优化改进,其主要包括以下几方面:(1)利用真空填蜡的方法完善了微通道结构化学机械抛光工艺问题,通过实验研究优化工艺,并完成了硅微通道板双面CMP工艺技术。(2)研究Si-MCP热氧化实验,优化了器件厚层氧化制备条件,并采用该条件制备出击穿电压在1000V以上硅微通道板基体器件样品。(3)提出用高温整形方法来解决Si-MCP翘曲问题。并利用该方法使形变后的Φ16mm-Si-MCP试验样品恢复平整。