【摘 要】
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本文采用高温水解反应制备了ZnO晶体,分析了化学气相反应条件下温度和衬底种类对晶体形貌和质量的影响,实验发现500-550℃下在SiC和Al2O3基片衬底上生长的ZnO晶体表面光滑、
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本文采用高温水解反应制备了ZnO晶体,分析了化学气相反应条件下温度和衬底种类对晶体形貌和质量的影响,实验发现500-550℃下在SiC和Al2O3基片衬底上生长的ZnO晶体表面光滑、形貌规则、质量较好;在ZnO和Al2O3衬底上可以形成连续薄膜,质量还有待改善,在ZnO（0001）基片衬底上清晰观察到了晶体呈螺旋外延生长;研究了高温水解制备SnO2和Fe2O3薄膜及复合薄膜的光学性能。 采用高温化学气相输运法制备了Zn1-xCoxO晶体,通过改变原料中Co2O3的掺杂量,制备了不同Co含量掺杂的Zn1-xCoxO晶体。实验发现Zn1-xCoxO晶体具有ZnO纤锌矿结构,随着Co掺杂量的增加,其形状随之变化,外形基本为六棱柱形。 论文的完成为化学气相反应制备功能性氧化物晶体、薄膜以及研究晶体生长习性提供了大量有用的数据,为采用CVT法进一步制备Zn1-xCoxO稀磁半导体提供了实验依据。
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